发明名称 組み込まれた抵抗を有する電極を含む半導体素子および関連手法
摘要 A semiconductor device may include an insulating layer and a semiconductor electrode on the insulating layer. An area of increased electrical resistance may separate a contact area of the semiconductor electrode from an active area of the semiconductor electrode. In addition, a metal contact may be provided on the contact area of the semiconductor electrode opposite the insulating layer.
申请公布号 JP5885108(B2) 申请公布日期 2016.03.15
申请号 JP20120522829 申请日期 2010.05.18
申请人 クリー インコーポレイテッドCREE INC. 发明人 ハル ブレット アダム;リュ セイ−ヒュン;リッチモンド ジュニア ジェームズ セオドア
分类号 H01L29/78;H01L21/28;H01L29/12;H01L29/41;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/739 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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