Transistor method of manufacturing the same and electronic device comprising transistor

摘要

트랜지스터와 그 제조방법 및 트랜지스터를 포함하는 전자소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 적어도 일면이 플라즈마 처리된 게이트절연체를 포함할 수 있다. 상기 게이트절연체의 플라즈마 처리된 면은 채널층과 접촉된 계면일 수 있다. 상기 계면은 불소(F) 함유 기체를 사용하여 플라즈마 처리되어 불소를 포함할 수 있다. 상기 플라즈마 처리된 계면은 광에 의한 트랜지스터의 특성 변화를 억제하는 역할을 할 수 있다.