基板处理装置的乾洗方法

摘要

明的课题是在于提供一种可进行比以往效率佳的乾式净化之基板处理装置的乾式净化方法。

主权项

一种基板处理装置的乾式净化方法，系一面加热前述处理腔室内，一面将含氧及β-二酮的净化气体供给至前述处理腔室内，且藉由：使前述镍膜氧化而形成镍氧化物的工程、及使前述镍氧化物与β-二酮反应而形成错合物的工程、及使前述错合物昇华的工程，来除去附着于基板处理装置的处理腔室内的镍膜之基板处理装置的乾式净化方法，将前述净化气体之氧对β-二酮的流量比设为前述镍氧化物的生成速度不会超过前述错合物的生成速度之范围，前述β-二酮为六氟乙醯丙酮，前述净化气体之氧对六氟乙醯丙酮的流量比(氧流量/β二酮流量)为1~5%的范围，前述处理腔室内的加热温度为250℃~325℃。