防止电荷损失之记忆体胞元

摘要

忆体胞元包括一基体、一第一介电层、一浮动闸极、一第二介电层、及一控制闸极。该基体包括位在一汲极区与一源极区间之一通道区。该第一介电层系位在该通道区上方，该浮动闸极系经由该第一介电层而电容耦接至该通道区。该第二介电层系位在该浮动闸极上方，该控制闸极系经由该第二介电层而电容耦接至该浮动闸极。一介电氮化物层系位在该浮动闸极与该第二介电层间以防止从该浮动闸极至该第二介电层的电荷损失。

主权项

一种记忆体胞元，其系包含：含位在一汲极区与一源极区间之一通道区的一基体；位在该通道区上方之一第一介电层；经由该第一介电层而电容耦接至该通道区之一浮动闸极；位在该浮动闸极上方之一第二介电层；及经由该第二介电层而电容耦接至该浮动闸极之一控制闸极，其中一介电氮化物层系位在该浮动闸极与该第二介电层间以防止从该浮动闸极至该第二介电层的电荷损失。