半导体储存装置

摘要

明的一个方式提供一种半导体储存装置，其中在停止供应电源电压并再开始供应电源电压的结构中不需要在挥发性储存装置与非挥发性储存装置之间转移资料。在采用非挥发性半导体储存装置时，挥发性储存装置与非挥发性储存装置彼此不分开而构成。明确地说，半导体储存装置将资料储存在与其半导体层具有氧化物半导体的电晶体及电容元件连接的资料储存部中。并且，资料储存部所储存的电位被能够输出资料而不使电荷泄漏的资料电位储存电路及能够利用藉由电容元件的电容耦合控制资料储存部所储存的电位而不使电荷泄漏的资料电位控制电路控制。

主权项

一种半导体储存装置，包括：第一至第N级(N为自然数)半导体储存装置，其中，该第一至第N级半导体储存装置之一者包括：第一至第三电晶体；以及第一电容元件以及第二电容元件，其中，该第一至第三电晶体彼此串联电连接，其中，该第一电容元件的两电极之一者电连接该第一电晶体的源极电极及汲极电极之一者，以及其中，该第二电容元件的两电极之一者电连接该第二电晶体的源极电极及汲极电极之一者，其中，该第一至第N级半导体储存装置级联连接，将资料输入到该第一级半导体储存装置的输入端子，并且，该第一至第N级半导体储存装置输出依次转移的第一至第N脉冲信号。