| 摘要 |
반도체 소자 및 반도체 소자 제조 방법이 개시된다. 반도체 소자는, 절연성 기판, 절연성 기판상에 형성된, 양단이 각각 p형과 n형으로 도핑되고 도핑된 영역 사이는 도핑되지 않은 진성인 반도체 나노 와이어, 반도체 나노 와이어의 p형 도핑 영역과 n형 도핑 영역 상에 각각 형성된 도핑 영역 전극, 반도체 나노 와이어의 진성 영역 상에 형성된 하부 절연막, 하부 절연막 상의 일부 영역에 형성된 진성 영역 전극, 및 하부 절연막 상에서, 진성 영역 전극과 도핑 영역 전극들 사이에 각각 전극들과 이격되어 형성된 금속 또는 반도체 나노 입자 영역을 포함한다. 이와 같은 구성에 의하면, 소스와 드레인의 기생저항이 작으면서도 우수한 정전기적 제어효과를 가지는 나노와이어를 이용한 트랜지스터 소자를 제공할 수 있게 된다. 또한, 미세 크기를 가지면서도 단채널 효과를 극복하고 낮은 문턱 전압이하의 기울기값을 가질 수 있는 구조의 나노와이어를 이용한 트랜지스터 소자를 제공할 수 있게 된다. |
