| 发明名称 | 一种垂直扩散金氧半导体（ＶＤＭＯＳ）封装结构 | ||
| 摘要 | 垂直扩散金氧半导体封装结构，包括复数个互相堆叠之垂直扩散金氧半导体晶片与一连接结构。这些互相堆叠的垂直扩散金氧半导体晶片包括一第一垂直扩散金氧半导体晶片与一第二垂直扩散金氧半导体晶片。其中，第二垂直扩散金氧半导体晶片系堆叠于第一垂直扩散金氧半导体晶片之一第一源极金属垫上，并且，第二垂直扩散金氧半导体晶片之一第二汲极金属垫系连接前述第一源极金属垫。连接结构则是用以电性连接这些互相堆叠之垂直扩散金氧半导体晶片的复数个闸极金属垫。 | ||
| 申请公布号 | TWI525826 | 申请公布日期 | 2016.03.11 |
| 申请号 | TW102132777 | 申请日期 | 2013.09.11 |
| 申请人 | 拓纬实业有限公司 | 发明人 | 涂高维;刘子玄;蔡依芸;张渊舜 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 赖正健;陈家辉 | |
| 主权项 | 一种垂直扩散金氧半导体封装结构，包括：复数个互相堆叠之垂直扩散金氧半导体晶片，该些垂直扩散金氧半导体晶片包括：一第一垂直扩散金氧半导体晶片；以及一第二垂直扩散金氧半导体晶片，堆叠于该第一垂直扩散金氧半导体晶片之一第一源极金属垫上，并且，该第二垂直扩散金氧半导体晶片之一第二汲极金属垫系连接该第一源极金属垫；以及一连接结构，用以电性连接该些垂直扩散金氧半导体晶片之复数个闸极金属垫。 | ||
| 地址 | 新北市中和区中山路2段403号7楼 | ||