| 摘要 |
L'invention concerne une mémoire résistive (5) comprenant des éléments résistifs, la résistance de chaque élément résistif pouvant alterner entre une valeur haute dans une première plages de valeurs et une valeur basse dans une deuxième plage de valeurs strictement inférieure à la valeur haute, la mémoire comprenant, en outre, un dispositif (14) de basculement de la résistance d'au moins un élément résistif sélectionné parmi les éléments résistifs entre les valeurs haute et basse, le dispositif comprenant un premier circuit adapté à appliquer une tension croissante aux bornes de l'élément résistif sélectionné alors que l'élément résistif sélectionné est à la valeur haute ou à la valeur basse, un deuxième circuit adapté à détecter le basculement de la résistance de l'élément résistif sélectionné et un troisième circuit adapté à interrompre le courant traversant l'élément résistif sélectionné à la détection du basculement. |
