发明名称 多层装置及其制造方法
摘要 明揭露一种多层装置及其制造方法。一例示的多层装置包含一第一导电层,其置于一基板的上方,此第一导电层具有在一第一方向延伸之复数个导线构成的第一导线群。此装置更包含一第二导电层,其置于上述第一导电层的上方,此第二导电层具有在一第二方向延伸之复数个导线构成的第二导线群。此装置更包含一自对准内连线,其形成于一界面,此界面是上述第一导线群的一第一导线接触上述第二导线群的一第三导线之处。此装置更包含一阻挡部,其介于上述第一导线群的一第二导线与上述第二导线群的一第四导线之间。
申请公布号 TWI525778 申请公布日期 2016.03.11
申请号 TW102113237 申请日期 2013.04.15
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 张世明;谢艮轩;欧宗桦;刘如淦;范芳瑜;侯元德
分类号 H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L23/52(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项 一种多层装置,包含:一第一层间介电(interlayer dielectric;ILD)层,置于一基板的上方,该第一层间介电层具有一第一导电层,该第一导电层具有一第一方向之一第一导线与一第二导线;以及一第二层间介电层,置于该第一层间介电层的上方,该第二层间介电层具有一第二导电层,该第二导电层具有一第二方向之一第三导线与一第四导线,其中:该第二导电层的该第三导线是形成于该第一导电层的该第一导线的上方,并在一界面接触该第一导电层的该第一导线,该界面未使用介层窗来提供电性接触;该第二导电层的该第四导线是形成于该第一导电层的该第二导线的上方;以及一阻挡部是介于该第二导电层的该第四导线与该第一导电层的该第二导线之间。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号