半导体元件与其形成方法

摘要

明揭露半导体元件与其形成方法。在一实施例中，半导体元件的形成方法包括提供工件，工件包括导电结构形成于第一绝缘材料中，以及第二绝缘材料位于第一绝缘材料上。第二绝缘材料具有开口于导电结构上。上述方法包括形成石墨烯为主的导电层于第二绝缘材料的开口中的导电结构露出的上表面上，以及形成碳为主的黏着层于第二绝缘材料中的开口的侧壁上。碳奈米管系形成于图案化之第二绝缘材料中的石墨烯为主的导电层及碳为主的黏着层上。

主权项

一种半导体元件的形成方法，包括：提供一工件，该工件包括一导电结构形成于一第一绝缘材料中，一第二绝缘材料位于该第一绝缘材料上，且该第二绝缘材料具有一开口于该导电结构上；形成一石墨烯为主的导电层于该第二绝缘材料的该开口中之该导电结构露出的上表面上；形成碳为主的黏着层于该第二绝缘材料中的该开口的侧壁上；以及形成一碳奈米管于该第二绝缘材料之该开口中的该石墨烯为主的导电层及该碳为主的黏着层上。