发明名称 单晶碳化矽液相磊晶成长用单元及单晶碳化矽液相磊晶成长方法
摘要 明降低在单晶碳化矽之液相磊晶成长所需之成本。
申请公布号 TWI525662 申请公布日期 2016.03.11
申请号 TW100125569 申请日期 2011.07.20
申请人 东洋炭素股份有限公司 发明人 鸟见聪;野上晓;松本强资
分类号 H01L21/20(2006.01);H01L31/0312(2006.01);C30B27/00(2006.01) 主分类号 H01L21/20(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项 一种单晶碳化矽液相磊晶成长用单元,系在藉由准安定溶剂磊晶所进行之单晶碳化矽的液相磊晶成长方法中使用的种晶材与进料材的单元,前述进料材系具有包含结晶多形为3C的多晶碳化矽之表层,藉由前述进料材之表层的X光绕射作为对应结晶多形为3C的多晶碳化矽之绕射波峰,可以观察对应(111)结晶面之绕射波峰、与对应前述(111)结晶面之绕射波峰以外的绕射波峰者;前述种晶材系具有包含结晶多形为3C的多晶碳化矽之表层,藉由前述种晶材之表层的X光绕射作为对应结晶多形为3C的多晶碳化矽之绕射波峰,可以观察对应(111)结晶面之1次绕射波峰,而不能观察具有对应前述(111)结晶面之1次绕射波峰之绕射强度之10%以上的绕射强度之其他的1次绕射波峰者。
地址 日本