Sauerstoffpräzipitation in stark dotierten Siliciumwafern, geschnitten aus nach dem Czochralski-Verfahren gezüchteten Ingots

摘要

Es wird ein Verfahren zur Kontrolle der Sauerstoffpräzipitation in einem Siliciumeinkristallwafer mit einem spezifischen Wafer-Widerstand von weniger als etwa 10 Milliohm-cm bereitgestellt, so dass der Wafer ein gleichmäßig hohes Sauerstoffpräzipitationsverhalten von der Zentralachse zur Umfangskante aufweist. Der Siliciumeinkristallwafer enthält ein zusätzliches Dotiermittel ausgewählt aus Kohlenstoff, Arsen, und Antimon.