一种硅片的二次切割方法

摘要

本发明提供了一种硅片的二次切割方法，步骤为：(1)定位槽切割：首先在硅单晶上切割二次切割用刀口定位槽，然后对硅单晶进行一次切割；(2)硅片固定：将一次切割后的硅片经过扩散减薄分选后得到待二次切割硅片，将待二次切割硅片并排等间距或紧密固定在硅片分切固定件中，形成一个整体工件并用水胶固定；(3)定位切割：将整体工件直接或通过树脂条固定在多线切割机上，并将切割线逐一对准固定在硅片分切固定件中的硅片的定位槽进行找正定位，定位准确后沿该定位槽将硅片一分为二。本发明的方法在很大程度上提高了原材料的利用率，并大大降低了器件生产成本，将本发明用于带重掺杂扩散层的硅抛光片生产，约可降低50％的单片电耗。

主权项

一种硅片的二次切割方法，所述切割方法采用常规的多线切割方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)定位槽切割：在一次切割过程前，首先在硅单晶上切割二次切割用刀口定位槽，其目的用于二次切割找正，然后对硅单晶进行一次切割；(2)硅片固定：将一次切割后的硅片经过扩散减薄分选后得到待二次切割硅片，将待二次切割硅片并排等间距或紧密固定在硅片分切固定件中，并保持所述定位槽在同一水平线上，形成一个整体工件并用水胶固定；(3)定位切割：将步骤(2)中粘结好的整体工件通过树脂条固定在多线切割机上或直接固定在多线切割机上，将切割线逐一对准固定在硅片分切固定件中的硅片的定位槽进行找正定位，定位准确后沿该定位槽进行切割将硅片一分为二。