半导体器件的制造方法和半导体器件

摘要

本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。提供了一种包括存储器单元的半导体器件，存储器单元具有控制栅极电极和经由电荷积聚层相对于控制栅极电极而形成的存储器栅极电极，半导体器件改进了其性能。通过所谓的后栅极过程来形成配置了存储器单元的控制栅极电极和配置了存储器栅极电极的一部分的金属膜。由此，存储器栅极电极由对应于与ONO膜接触的p型半导体膜的硅膜和金属膜配置而成。进一步地，接触塞耦合至配置了存储器栅极电极的硅膜和金属膜两者。

主权项

一种制造配备有非易失性存储器的存储器单元的半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体衬底；(b)通过第一绝缘膜在所述半导体衬底之上形成第一虚设栅极电极；(c)顺序地形成在其内部具有电荷积聚部分的第二绝缘膜、每一个都具有p型导电类型的第一半导体膜和第二半导体膜，以便覆盖所述第一虚设栅极电极的侧壁以及从与所述侧壁相邻的所述第一绝缘膜暴露出来的所述半导体衬底；(d)处理所述第一半导体膜和所述第二半导体膜，从而通过所述第二绝缘膜在所述第一虚设栅极电极的所述侧壁之上形成包括所述第一半导体膜和所述第二半导体膜的第二虚设栅极电极；(e)形成第一层间绝缘膜，以便覆盖所述第一虚设栅极电极和所述第二虚设栅极电极；(f)对所述第一层间绝缘膜进行抛光，以使所述第一虚设栅极电极和所述第二虚设栅极电极暴露出来；(g)去除配置了所述第二虚设栅极电极的所述第二半导体膜、和所述第一虚设栅极电极；(h)在对应于在所述(g)步骤中去除了所述第一虚设栅极电极的区域的第一沟槽中形成对应于用于所述存储器单元的金属栅极电极的第一栅极电极，并且在对应于在所述(g)步骤中去除了所述第二半导体膜的区域的第二沟槽中形成金属膜，从而形成包括所述第一半导体膜和所述金属膜的、用于所述存储器单元的第二栅极电极。