| 发明名称 | MEMS器件和制造MEMS器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及MEMS器件和制造MEMS器件的方法。一种用于制造MEMS器件的方法包括形成半导体层堆叠，该半导体层堆叠至少包括第一单晶半导体层、第二单晶半导体层和第三单晶半导体层，该第二单晶半导体层在第一和第三单晶半导体层之间形成。第二单晶半导体层的半导体材料与第一和第三单晶半导体层的半导体材料不同。在形成半导体层堆叠之后，第一和第三单晶半导体层中的每个的至少部分同时被刻蚀。 | ||
| 申请公布号 | CN105384141A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201510553886.7 | 申请日期 | 2015.09.02 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | S.科尔布;A.迈泽;T.施勒泽;W.韦尔纳 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 申屠伟进;王传道 |
| 主权项 | 一种用于制造MEMS器件的方法，包括：形成半导体层堆叠，所述半导体层堆叠至少包括第一单晶半导体层、第二单晶半导体层和第三单晶半导体层，所述第二单晶半导体层在第一和第三单晶半导体层之间形成，其中所述第二单晶半导体层的半导体材料与第一和第三单晶半导体层的半导体材料不同；并且在形成所述半导体层堆叠之后，同时刻蚀第一和第三单晶半导体层中的每个的至少部分。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||