| 发明名称 | 高电压金属氧化物半导体晶体管设备 | ||
| 摘要 | 本发明实施例提供了一种高电压金属氧化物半导体晶体管设备，包括：半导体基底；栅极，覆盖在所述半导体基底的上面；所述栅极的相对的第一侧壁和第二侧壁上的侧壁间隔物；漏极结构，位于所述半导体基底中；第一离子井，位于所述半导体基底中，并且与所述栅极部分重叠；源极结构以及沟道区域。其中，所述源极结构包括：第二离子井；所述第二离子井位于所述第一离子井中，并且延伸至所述栅极下方，以与所述栅极部分重叠；其中，所述第一离子井和所述第二离子井具有相同的导电类型和不同的掺杂浓度；其中，所述沟道区域由所述第一离子井和所述栅极之间的重叠区域和所述第二离子井和所述栅极之间的重叠区域组成。本发明实施例，可以提高截止频率。 | ||
| 申请公布号 | CN105390543A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201510426981.0 | 申请日期 | 2015.07.20 |
| 申请人 | 联发科技股份有限公司 | 发明人 | 蔣柏煜 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人 | 何青瓦 |
| 主权项 | 一种高电压金属氧化物半导体晶体管设备，其特征在于，包括：半导体基底；栅极，覆盖在所述半导体基底的上面；侧壁间隔物，位于所述栅极的相对的第一侧壁和第二侧壁上；漏极结构，位于所述半导体基底中；第一离子井，位于所述半导体基底中，并且与所述栅极部分重叠；源极结构，位于所述半导体基底中，并且远离所述漏极结构；以及沟道区域；其中，所述源极结构包括：第二离子井，位于所述第一离子井中并延伸至所述栅极下方以与所述栅极部分重叠；所述第一离子井和所述第二离子井具有相同的导电类型和不同的掺杂浓度；其中，所述沟道区域由所述第一离子井和所述栅极之间的重叠区域和所述第二离子井和所述栅极之间的重叠区域组成。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市笃行一路一号 | ||