预切割金属线

摘要

本发明公开了预切割金属线。具体地，本发明的实施例提供一种方法用于后段制程结构中牺牲金属线的切割。在金属Mx线上面形成牺牲Mx+1线。在该牺牲Mx+1线上方沉积和图案化线切口微影堆栈物并且形成切穴。该切穴用介电材料填充。以选择性蚀刻制程去除该牺牲Mx+1线，保护填充在该切穴中的电介质。接着在去除该牺牲Mx+1线的地方沉积金属来形成预切金属线。因此本发明的实施例提供预切金属线，并且不需要金属切割。通过避免金属切割的需要，也避免了与金属切割有关的风险。

主权项

一种形成半导体结构的方法，包括:在多个金属Mx线上方形成多个牺牲Mx+1线；在该多个牺牲Mx+1线上方沉积介电层；在该多个牺牲Mx+1线的其中一个牺牲Mx+1线中形成切穴；在该切穴中形成介电区；去除该多个牺牲Mx+1线以形成多个Mx+1线穴；以及以金属填充该多个Mx+1线穴以形成多个金属Mx+1线。