高通量组合材料芯片前驱体沉积设备

摘要

本实用新型涉及一种高通量组合材料芯片前驱体沉积设备，包括靶材架、安装在靶材架正面上的靶材、安装在靶材背面上的永磁体、与靶材相对设置的基片、能覆盖在基片上的掩模、用于放置基片的放置台、用于驱动放置台转动和移动的驱动装置。靶材架上具有多个安装靶材的安装位。该高通量组合材料芯片前驱体沉积设备利用多个靶材通过磁控溅射镀膜技术实现不同组分材料的梯度沉积或顺序沉积，简化了设备结构、功耗小，耗材小，工艺的可重复性提高且维修方便。同时该高通量组合材料芯片前驱体沉积设备能够控制单层材料沉积厚度在原子尺度下，方便实现多种材料原子尺度下均匀混合拓宽了设备的应用范围。

主权项

一种高通量组合材料芯片前驱体沉积设备，其特征在于包括：靶材架(1)，所述靶材架(1)的正面上具有多个能够安装靶材(2)的安装位；靶材(2)，包括至少一个，安装在所述靶材架(1)的安装位上；永磁体组(11)，设置在所述靶材架(1)内，所述永磁体组(11)内具有多个永磁体，多个所述永磁体对应于所述安装位安装在所述靶材(2)的背面，以调整靶材(2)上的刻蚀区长度和刻蚀区形状；基片(3)，与所述靶材(2)相对设置，用于沉积材料；掩模(4)，能覆盖在所述基片(3)上；放置台(5)，用于放置基片(3)；驱动装置，用于驱动所述放置台(5)进行转动和移动。