| 发明名称 | 基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法及IGBT终端结构，其中，方法包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝缘多晶硅薄膜层，第二半绝缘多晶硅薄膜层在第二温度下进行淀积，其中，第一温度大于第二温度。本发明通过首先在第一温度下形成第一半绝缘多晶硅薄膜层，然后在比第一温度低的第二温度下形成第二半绝缘多晶硅薄膜层，使第二半绝缘多晶硅薄膜层中的晶粒比第一半绝缘多晶硅薄膜层中的晶粒小，从而提高电阻率，降低IGBT器件的漏电流，使IGBT器件的耐压性能稳定，可靠性增强。 | ||
| 申请公布号 | CN105390396A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201510711308.1 | 申请日期 | 2015.10.27 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 马亮;周飞宇;肖海波;刘根 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人 | 张少辉;刘华联 |
| 主权项 | 一种基于IGBT的分步淀积半绝缘多晶硅方法，其特征在于，包括：在第一导电类型衬底顶部淀积第一半绝缘多晶硅薄膜层，其中，所述衬底中在位于所述顶部的一端设置有与第一导电类型相反的第二导电类型本体，所述第一半绝缘多晶硅薄膜层在第一温度下进行淀积；在所述第一半绝缘多晶硅薄膜层上淀积第二半绝缘多晶硅薄膜层，所述第二半绝缘多晶硅薄膜层在第二温度下进行淀积，其中，所述第一温度大于所述第二温度。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 | ||