| 发明名称 | 用于无孔隙钴间隙填充的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及无孔隙钴间隙填充的方法，本发明提供的方法将无孔隙钴沉积到具有高深宽比的特征中。方法涉及(a)用钴来部分填充特征，(b)将特征暴露至从含氮气体产生的等离子体，来选择性抑制在特征的顶部处或者其附近的表面的钴核化；可选地重复(a)和(b)；以及通过化学气相沉积将大量钴沉积到特征中。方法还可以涉及将包含阻挡层的特征暴露至从含氮气体产生的等离子体，以选择性抑制钴核化。方法可以在低于约400℃的低温下使用含钴前体来执行。 | ||
| 申请公布号 | CN105390438A | 申请公布日期 | 2016.03.09 |
| 申请号 | CN201510518752.1 | 申请日期 | 2015.08.21 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 罗郑硕;于天华;米卡尔·达内克;桑杰·戈皮纳特 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人 | 樊英如;李献忠 |
| 主权项 | 一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：(a)提供具有一个或一个以上的特征的衬底，每个特征包括特征开口；(b)在所述特征开口或者其附近的所述一个或一个以上的特征的表面选择性抑制钴核化，使得每个特征中有差分抑制轮廓；以及(c)依据所述差分抑制轮廓在所述特征中沉积钴。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||