聚氨酯抛光垫

摘要

抛光垫用于平面化半导体、光学以及磁性衬底中的至少一者。所述抛光垫包括由H₁₂MDI/TDI与聚四亚甲基醚乙二醇的预聚物反应以形成异氰酸酯-封端反应产物而形成的铸造聚氨酯聚合材料。所述异氰酸酯封端反应产物具有8.95重量％到9.25重量％未反应的NCO，并且NH₂与NCO化学计量比为102％到109％。所述异氰酸酯封端反应产物用4，4′-亚甲基双(2-氯苯胺)固化剂固化。如在无孔状态下所测量，所述铸造聚氨酯聚合材料在30℃和40℃下用扭转夹具测量的剪切储能模量G′为250MPa到350MPa，并且在40℃下用扭转夹具测量的剪切损耗模量G″为25MPa到30MPa。所述抛光垫具有20体积％到50体积％的孔隙率和0.60g/cm³到0.95g/cm³的密度。

主权项

一种适用于平面化半导体、光学以及磁性衬底中的至少一者的抛光垫，所述抛光垫包含由H₁₂MDI/TDI与聚四亚甲基醚乙二醇的预聚物反应以形成异氰酸酯封端反应产物而形成的铸造聚氨酯聚合材料，所述异氰酸酯封端反应产物具有8.95重量％到9.25重量％未反应的NCO，NH₂与NCO化学计量比为102％到109％，所述异氰酸酯封端反应产物用4，4′‑亚甲基双(2‑氯苯胺)固化剂固化，如在无孔状态下所测量，所述铸造聚氨酯聚合材料在30℃和40℃下用扭转夹具测量的剪切储能模量G′为250MPa到350MPa，并且在40℃下(ASTM D5279)用扭转夹具测量的剪切损耗模量G″为25MPa到30MPa，并且所述抛光垫具有20体积％到50体积％的孔隙率和0.60g/cm³到0.95g/cm³的密度。