发明名称 用于制造微机电装置的方法和微机电装置
摘要 在一种用于在适于制造集成电子器件的材料衬底、尤其是半导体衬底中制造微机电装置的方法中:提供材料衬底(12,14,16),在所述装置的制造期间在该材料衬底上构建至少一个表面结构(26)。在材料衬底(12,14,16)中通过使用传统的用于制造集成电子器件的方法的工艺步骤来构建电子器件(30)。在材料衬底(12,14,16)上选择性地从在材料衬底(12,14,16)的刻蚀情况下和/或在对设置在材料衬底(12,14,16)上的材料层(52)的刻蚀情况下分别用作刻蚀停止部的第一刻蚀停止材料中构建限定电子器件(30)的位置的和/或对于电子器件(30)的功能所需的器件部件(44)。在构建电子器件(30)的器件部件(44)的情况下也在材料衬底(12,14,16)上沿着表面结构(26)的边缘的至少一个部分区段从该刻蚀停止材料中构建形成该部分区段的边界的边界区域(48)。将这样构建的材料衬底(12,14,16)选择性地刻蚀来形成表面结构(26),其中边界区域(48)的边缘限定要构建的表面结构(26)在材料衬底(12,14,16)上的位置。
申请公布号 CN102811942B 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201180015150.4 申请日期 2011.03.21
申请人 艾尔默斯半导体股份公司 发明人 恩德·腾海夫
分类号 B81C1/00(2006.01)I;G01L9/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人 周涛;许伟群
主权项 一种用于在适于制造集成电子器件的材料衬底中制造微机电装置的方法,其中在该方法中:-提供材料衬底,在所述装置的制造期间在该材料衬底内构建至少一个表面结构,其中所述表面结构包括具有边缘的至少一个凹处,所述边缘延伸至所述材料衬底中,-在材料衬底中通过使用传统的用于制造集成电子器件的方法的工艺步骤来构建至少一个电子器件,-其中所述至少一个电子器件包括器件部件,在材料衬底上选择性地从第一刻蚀停止材料中构建所述器件部件,所述器件部件限定电子器件的位置或对于电子器件的功能是所需的,或既限定电子器件的位置又对于电子器件的功能是所需的,其中所述第一刻蚀停止材料在材料衬底的刻蚀情况和在对设置在材料衬底上的材料层的刻蚀情况这两种情况的至少一种情况下用作刻蚀停止部,-其中第一刻蚀停止材料被结构化,以用于同时构建所述至少一个电子器件的器件部件以及沿着表面结构的所述至少一个凹处的边缘的至少部分区段的边界区域,所述边界区域形成表面结构的所述至少一个凹处的边缘的该部分区段的边界,以及-将这样构建的材料衬底选择性地刻蚀来形成表面结构的所述至少一个凹处的边缘,其中边界区域的边缘限定要构建的表面结构的所述至少一个凹处的边缘在材料衬底上的位置。
地址 德国多特蒙德