发明名称 改善离子注入的方法
摘要 本发明提供一种改善离子注入的方法,属于离子注入技术领域,其可解决现有的离子注入设备离子束的稳定性和均匀性差的问题。本发明的离子注入设备离子束的稳定性和均匀性差的问题,通过检测不同减速电压下束流密度和束流分布不均匀度,获得工作减速电压,使离子注入设备在工作减速电压下工作,保证了离子束的均匀性和稳定性,从而保证每个批次和不同批次之间处理的基材的性能保持相对一致。
申请公布号 CN103715073B 申请公布日期 2016.03.09
申请号 CN201310717393.3 申请日期 2013.12.23
申请人 京东方科技集团股份有限公司 发明人 田慧;皇甫鲁江
分类号 H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01L21/265(2006.01)I
代理机构 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人 柴亮;张天舒
主权项 一种改善离子注入的方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.检测不同减速电压下的束流密度和束流分布不均匀度;S2.根据所述束流密度和束流分布不均匀度获得工作减速电压;S3.在工作减速电压下进行离子注入;其中,所述检测不同减速电压下的束流密度和束流分布不均匀度,包括以下步骤:S11.设定参数初始值设定减速电压的初始值为V<sub>0</sub>,束流密度ρ<sub>0</sub>、束流不均匀度x<sub>0</sub>、减速电压的优化范围为L,束流密度的控制误差范围为p,束流不均匀度控制小于q;S12.初步确定减速电压优化的出发点在减速电压为的V<sub>0</sub>±L范围内取m个不同的减速电压测试点,分别测定m个测试点的束流密度ρ<sub>g</sub>和束流不均匀度x<sub>g</sub>。
地址 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号