基于具有微纳结构的本征半导体层的太赫兹源及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于具有微纳结构的本征半导体层的太赫兹源及制备方法，该太赫兹辐射源是基于肖特基二极管结构的器件，该器件包括由上至下依次设置的：带有一个毫米级大小的窗口的第一金属电极；透明或半透明的肖特基接触层；具有微纳结构的本征半导体层；缓冲层；衬底、欧姆接触层，及，第二金属电极；该本征半导体层为III-V族高电子迁移率的化合物半导体层；该衬底为N型或P型重掺杂的高电子迁移率的半导体层。本发明的器件结构简单，技术成熟，能够使太赫兹辐射在0.5~3.0 THz 范围内辐射强度提高近10 dB；能够为太赫兹时域光谱技术在爆炸物、毒品及细菌病毒检测、生物活体成像及分析等应用领域提供廉价、高效、可室温工作的太赫兹辐射源。

主权项

一种太赫兹辐射源，是基于肖特基二极管结构的器件，其特征在于，该器件包括由上至下依次设置的：带有一个毫米级大小的窗口的第一金属电极（1）；透明或半透明且能形成肖特基势垒打的肖特基接触层（2）；具有微纳结构的本征半导体层（3）；缓冲层（4）；衬底（5）、能够形成欧姆接触的欧姆接触层（6），及，第二金属电极（7）；所述的本征半导体层（3）为III‑V族高电子迁移率的化合物半导体层；所述的衬底（5）为N型或P型重掺杂的高电子迁移率的半导体层。