发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer selbstjustierenden Maske |
摘要 |
Es wird ein Verfahren zur selektiven Maskierung einer Struktur mit einer kleinen Strukturoberfläche gegenüber einer Struktur mit einer großen Strukturoberfläche beschrieben. Dazu werden die Strukturen mit einer Abdeckschicht aufgefüllt, wobei sich über der ersten Struktur, die die größere Strukturoberfläche aufweist, eine größere Dicke der Abdeckschicht ausbildet als über der zweiten Struktur 2. Anschließend wird die Abdeckschicht mit einem homogenen Abtragungsverfahren abgetragen, so dass als erstes die Strukturoberfläche der zweiten Struktur freigelegt wird. Damit ist ein einfaches selbstjustierendes Verfahren zum Herstellen einer Maske zur Freilegung der zweiten Struktur gegeben.
|
申请公布号 |
DE10141841(C1) |
申请公布日期 |
2003.03.06 |
申请号 |
DE20011041841 |
申请日期 |
2001.08.27 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
EFFERENN, DIRK;MOLL, HANS-PETER;WICH-GLASEN, ANDREAS;GRUNING VON SCHWERIN, ULRIKE;RADECKER, JOERG |
分类号 |
H01L21/033;(IPC1-7):H01L21/321;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/033 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|