发明名称 SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECORDING MEDIUM
摘要 반도체 장치의 품질을 향상시킴과 함께, 제조 스루풋을 향상시키는 것이 가능한 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체를 제공한다. Si 함유막 상에 변성층이 형성된 기판을 수용하는 처리 용기와, 상기 기판에 제거제를 공급하는 제거제 공급부와, 상기 기판에 할로겐 원소를 2개 이상 포함하는 처리 가스를 공급하는 처리 가스 공급부와, 상기 제거제를 상기 기판에 공급하는 변성층 제거 공정과, 상기 처리 가스를 상기 기판에 공급하는 막 제거 공정을 실행하도록 상기 제거제 공급부와 상기 처리 가스 공급부를 제어하는 제어부를 갖는다.
申请公布号 KR20160025591(A) 申请公布日期 2016.03.08
申请号 KR20167002323 申请日期 2014.07.25
申请人 HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. 发明人 TSUBOTA YASUTOSHI;HIYAMA SHIN;WADA YUICHI;KAMEDA KENJI
分类号 H01L21/3065;H01J37/32;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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