| 摘要 |
본 발명에서는 하기 화학식 (1) 로 나타내어 지는 신규 헤테로시클릭 화합물, 및 상기 언급된 화합물을 포함하는 반도체 층을 갖는 전계-효과 트랜지스터가 제공된다. 또한 상기 언급된 신규 헤테로시클릭 화합물의 제조를 가능하게 하는 중간체의 제조 방법이 제공된다.(식 중, R및 R는 수소 원자, C알킬기, 또는 아릴기를 나타냄. 그러나 R이 각각 독립적으로 C알킬기 또는 아릴기를 나타내는 경우, R는 수소 원자를 나타내거나 각각 독립적으로 아릴기를 나타내고; R이 수소 원자를 나타내는 경우, R는 각각 독립적으로 아릴기를 나타냄). |
