| 摘要 |
Bei einer Oszillatorschaltung ist eine Kippschaltung zur Erzeugung eines Oszillatorsignals vorgesehen. Weiterhin ist eine Versorgungsschaltung (100) mit einem ersten Strompfad (101), einem zweiten Strompfad (102) und einem dritten Strompfad (103) vorgesehen. Ein Stromspiegel (111, 112, 113, 114, 115, 116) dient einer Spiegelung eines Stromes (Iptat) durch den zweiten Strompfad (102) in den ersten Strompfad (101), den dritten Strompfad (103) und wenigstens einen Strompfad (104; 105; 106) der Kippschaltung (10). Ein erster Feldeffekttransistor (121) in dem ersten Strompfad (101) wird auf Basis einer ersten Gate-Spannung (Vngate) in schwacher Inversion und Sättigung betrieben. Ein zweiter Feldeffekttransistor (122) in dem zweiten Strompfad (102) ist abweichend von dem ersten Feldeffekttransistor (121) dimensioniert und wird auf Basis der ersten Gate-Spannung (Vngate) in schwacher Inversion und Sättigung betrieben. Ein dritter Feldeffekttransistor (130) in dem zweiten Strompfad (102) wird auf Basis einer zweiten Gate-Spannung (Vb) in starker Inversion und im linearen Bereich betrieben. Ein vierter Feldeffekttransistor (140) in dem dritten Strompfad (103) wird auf Basis der zweiten Gate-Spannung (Vb) in starker Inversion und in Sättigung betrieben. |
