透明导电层压薄膜、其制造方法以及包含该透明导电层压薄膜的触摸屏

摘要

本发明涉及光透射率高和透射着色少的透明导电层压薄膜、其制造方法以及包含该透明导电层压薄膜的触摸屏。根据本发明，通过包括利用等离子体增强化学气相沉积法在光透明基底上层压包含可调节折射率和厚度的两层结构的层压体的工序，达到如下效果：能够提供构造致密且稳定的透明导电层压薄膜，能够提供可见光透射率高、透射着色少、在高温·高湿度环境中表面电阻变化率小、具有高薄膜耐久性的透明导电层压薄膜，能够提高大面积生产性和降低制造成本。

主权项

一种透明导电层压薄膜，其包括：光透明基底；利用等离子体增强化学气相沉积法层压在所述光透明基底上至34nm～300nm厚度、包含无机氧化物、具有折射率为2.32～2.5的第一层压体；利用等离子体增强化学气相沉积法层压在所述第一层压体上至61nm～300nm厚度、包含与所述第一层压体所含的无机氧化物不同的无机氧化物的第二层压体；层压在所述第二层压体上至40～100nm厚度的透明导电层；在所述透明导电层的厚度为50nm以上的情况下，所述第二层压体的折射率比所述第一层压体的折射率大；所述第一层压体和第二层压体的总厚度是95～350nm；所述光透明基底包含玻璃或塑料薄膜；和所述等离子体增强化学气相沉积法包括卷对卷方式的等离子体增强化学气相沉积法；所述无机氧化物包含选自由钛氧化物(titanium oxide)、锌氧化物(zinc oxide)、铈氧化物(cerium oxide)、铝氧化物(aluminium oxide)、钽氧化物(tantalum oxide)、钇氧化物(yttrium oxide)、镱氧化物(ytterbium oxide)以及锆氧化物(zirconium oxide)、硅氧化物(silicon oxide)，锑锡氧化物(antimony tin oxide)和铟锡氧化物(indium tin oxide)组成的组中的一种以上。