提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法

摘要

一种提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；硬掩膜的制备，所述硬掩膜具有氮化物层，且在所述氮化物层与半导体衬底之间形成氧化物层；沟槽的制备，利用所述硬掩膜为掩膜，对半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽；缺口的制备，蚀刻位于半导体衬底与氮化物层之间的氧化物层，以在所述沟槽顶端外沿形成缺口；牺牲氧化物的制备，以使沟槽栅顶角处形成坡形结构；栅氧生长，以及多晶硅填充。本发明通过采用具有硬质氮化物膜的硬掩膜作为沟槽蚀刻的掩膜，并在沟槽顶端外沿蚀刻形成缺口，进而通过低温湿式氧化法形成具有坡形结构的沟槽栅顶角，使得第一沟槽栅顶角栅氧的可靠性得到改善。

主权项

一种提高沟槽栅顶角栅氧可靠性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底为硅基衬底；硬掩膜的制备，所述硬掩膜具有氮化物层，且在所述氮化物层与半导体衬底之间形成氧化物层；沟槽的制备，利用所述硬掩膜为掩膜，对半导体衬底进行刻蚀以形成沟槽；缺口的制备，蚀刻位于半导体衬底与氮化物层之间的氧化物层，以在所述沟槽顶端外沿形成缺口，所述缺口沿沟槽顶端外沿向异于沟槽的方向延伸，且所述缺口的横向长度为1倍硬掩膜层厚度到1.5倍硬掩膜层厚度之间的任一值；牺牲氧化物的制备，以使沟槽栅顶角处形成坡形结构；剥离牺牲氧化物，并进行栅氧生长，以及多晶硅填充。