发明名称 |
一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片 |
摘要 |
本发明公开了一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片,包括P型硅衬底,P型硅衬底正面实现磷的梯度扩散掺杂,并用隔离层I将各个梯度隔开,形成ININ-结构,P型硅衬底背面不作扩散直接沉积P型有机晶体BWB,或作弱磷扩散再沉积P型有机晶体BWB最后形成INP结构。 |
申请公布号 |
CN103066210B |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
CN201210595002.0 |
申请日期 |
2012.12.28 |
申请人 |
浙江金贝能源科技有限公司 |
发明人 |
韩元杰;李新富;吴鹏飞;张冰;姚英 |
分类号 |
H01L51/48(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/48(2006.01)I |
代理机构 |
杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 |
代理人 |
魏亮 |
主权项 |
一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片,其特征在于:包括P型硅衬底,P型硅衬底正面实现磷的梯度扩散掺杂,并用隔离层I将各个梯度隔开,形成ININ<sup>‑</sup>结构,P型硅衬底背面弱磷扩散并沉积P型有机晶体BWB,最后形成INP结构;所述P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片,其最顶层的N<sup>‑</sup>型掺杂层上在印刷前电极后覆盖有EVA层,用激光刻槽、清洗,实现银选择电极引出线;所述P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片的背电极有两种,或者其最底层的BWB上再实现银烧结背电极,再覆以EVA;或直接用TCO导电玻璃作为透光又可支撑的背电极;正面的埋电极有两种,一是正对背电极的正上方位置制作埋电极,二是在正上方做常规的输出电极,在所述P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片硅片边缘离边5毫米处做埋电极,埋深是80‑90微米。 |
地址 |
311500 浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开发区石珠路288号 |