发明名称 一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片
摘要 本发明公开了一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片,包括P型硅衬底,P型硅衬底正面实现磷的梯度扩散掺杂,并用隔离层I将各个梯度隔开,形成ININ-结构,P型硅衬底背面不作扩散直接沉积P型有机晶体BWB,或作弱磷扩散再沉积P型有机晶体BWB最后形成INP结构。
申请公布号 CN103066210B 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201210595002.0 申请日期 2012.12.28
申请人 浙江金贝能源科技有限公司 发明人 韩元杰;李新富;吴鹏飞;张冰;姚英
分类号 H01L51/48(2006.01)I;H01L51/42(2006.01)I 主分类号 H01L51/48(2006.01)I
代理机构 杭州华鼎知识产权代理事务所(普通合伙) 33217 代理人 魏亮
主权项 一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片,其特征在于:包括P型硅衬底,P型硅衬底正面实现磷的梯度扩散掺杂,并用隔离层I将各个梯度隔开,形成ININ<sup>‑</sup>结构,P型硅衬底背面弱磷扩散并沉积P型有机晶体BWB,最后形成INP结构;所述P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片,其最顶层的N<sup>‑</sup>型掺杂层上在印刷前电极后覆盖有EVA层,用激光刻槽、清洗,实现银选择电极引出线;所述P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片的背电极有两种,或者其最底层的BWB上再实现银烧结背电极,再覆以EVA;或直接用TCO导电玻璃作为透光又可支撑的背电极;正面的埋电极有两种,一是正对背电极的正上方位置制作埋电极,二是在正上方做常规的输出电极,在所述P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片硅片边缘离边5毫米处做埋电极,埋深是80‑90微米。
地址 311500 浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开发区石珠路288号