薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的阵列基板

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的阵列基板，所述阵列基板包括：选通线，其位于包括像素区的基板上，选通线在一个方向上延伸；栅极，其位于像素区中并且从所述选通线延伸；栅绝缘层，其位于选通线和栅极上；数据线，其位于所述栅绝缘层上并且与所述选通线交叉，以限定所述像素区；氧化物半导体层，其位于所述栅绝缘层上并且具有三个端部，所述氧化物半导体层对应于所述栅极；蚀刻阻止件，其位于所述氧化物半导体层上，露出所述氧化物半导体层的所述三个端部；源极，其与所述氧化物半导体层的所述三个端部中的两个端部接触并且从所述数据线延伸；以及漏极，其与所述氧化物半导体层的所述三个端部中的一个端部接触并且与所述源极隔开。

主权项

一种阵列基板，所述阵列基板包括：选通线，其位于包括像素区的基板上，所述选通线在一个方向上延伸；栅极，其位于所述像素区中并且从所述选通线延伸；栅绝缘层，其位于所述选通线和所述栅极上；数据线，其位于所述栅绝缘层上并且与所述选通线交叉，以限定所述像素区；氧化物半导体层，其位于所述栅绝缘层上，所述氧化物半导体层对应于所述栅极，其中，所述氧化物半导体层具有T形或经旋转的T形；蚀刻阻止件，其位于所述氧化物半导体层上，以露出所述氧化物半导体层的三个端部；源极，其与所述氧化物半导体层的所述三个端部中的两个端部接触，并且从所述数据线延伸；以及漏极，其与所述氧化物半导体层的所述三个端部中的除了与所述源极接触的两个端部之外的一个端部接触，并且与所述源极隔开。