发明名称 |
P-DOPED SILICON LAYERS |
摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung p-dotierter Siliciumschichten, insbesondere solcher Siliciumschichten, die aus flüssigen Silan-haltigen Formulierungen hergestellt werden. Die Erfindung betrifft ferner ein mit einer p-dotierten Siliciumschicht beschichtetes Substrat. Des Weiteren betrifft die Erfindung die Verwendung bestimmter Dotierungsmittel auf Basis von BorVerbindungen zur p-Dotierung einer Siliciumschicht. |
申请公布号 |
EP2991102(A1) |
申请公布日期 |
2016.03.02 |
申请号 |
EP20150185644 |
申请日期 |
2011.08.19 |
申请人 |
EVONIK DEGUSSA GMBH |
发明人 |
WIEBER, STEPHAN;PATZ, MATTHIAS;STÜGER, HARALD;LEHMKUHL, JASMIN |
分类号 |
H01L21/228;C07F9/50;C23C18/12;H01L21/02;H01L31/18 |
主分类号 |
H01L21/228 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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