晶圆上刻蚀不同深度TSV孔的工艺方法

摘要

本发明提供一种晶圆上刻蚀不同深度TSV孔的工艺方法，包括下述步骤：提供一晶圆，在晶圆表面沉积阻挡层；在晶圆表面进行光刻和刻蚀工艺，去除阻挡层的部分，留下阻挡层凸点；阻挡层凸点位置为TSV区域；在晶圆表面沉积保护层；通过光刻和刻蚀工工艺在晶圆表面刻蚀出第一TSV孔；对晶圆表面进行CMP研磨，去除阻挡层凸点上方的保护层，露出阻挡层凸点材料；对露出的阻挡层凸点材料进行移除，在阻挡层凸点位置露出晶圆材质；在原阻挡层凸点位置进行硅的干法刻蚀工艺，使得露出晶圆材质的位置被刻蚀形成第二TSV孔。本发明避免了第二次刻孔工艺时孔底部光刻胶曝光困难以及光刻胶在孔侧壁挂不住的问题。

主权项

一种晶圆上刻蚀不同深度TSV孔的工艺方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤S1，提供一晶圆(1)，在晶圆(1)表面沉积阻挡层(2)；步骤S2，在晶圆(1)表面进行光刻和刻蚀工艺，去除阻挡层(2)的部分，留下阻挡层凸点(201)；阻挡层凸点(201)位置为TSV区域；步骤S3，在晶圆(1)表面沉积保护层(3)；步骤S4，通过光刻和刻蚀工工艺在晶圆(1)表面刻蚀出第一TSV孔(101)；步骤S5，对晶圆(1)表面进行CMP研磨，去除阻挡层凸点(201)上方的保护层(3)，露出阻挡层凸点材料；步骤S6，对露出的阻挡层凸点(201)材料进行移除，在阻挡层凸点位置露出晶圆(1)材质；步骤S7，在原阻挡层凸点位置进行硅的干法刻蚀工艺，使得露出晶圆材质的位置被刻蚀形成第二TSV孔(102)。