| 发明名称 | 基于传输线耦合效应电压反馈中性化的毫米波频段放大器 | ||
| 摘要 | 本发明公开基于传输线耦合效应电压反馈中性化的毫米波频段放大器，属于射频与毫米波集成电路设计领域，包括：一个NMOS晶体管，两条相同长度的传输线组成的耦合线，一个反馈电容，一个隔直电容，一个偏置电阻。其中，NMOS晶体管的源端接地，NMOS晶体管的漏端与耦合线中一条传输线的L1端连接，并接到该电路的输出端，该传输线的L2端连接电源，耦合线中另一条传输线与L2同侧的一端连接电源，而与L1同侧的一端连接反馈电容的一端，反馈电容的另一端连接NMOS晶体管的栅端，并同时与隔直电容和偏置电阻的一端相连，隔直电容的另一端接该电路的输入端，偏置电阻的另一端接偏置电压。该放大器可提高增益，改善稳定性，降低噪声和功耗，减小芯片面积，节约成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105375886A | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
| 申请号 | CN201510856833.2 | 申请日期 | 2015.11.30 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 张雷;陈源;王燕 |
| 分类号 | H03F1/26(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 廖元秋 |
| 主权项 | 一种基于传输线耦合效应电压反馈中性化的毫米波频段放大器，其特征在于，该放大器组成电路包括：一个NMOS晶体管，两条相同长度的传输线组成的耦合线，一个反馈电容，一个隔直电容，一个偏置电阻，其中，NMOS晶体管的源端接地，NMOS晶体管的漏端与耦合线中第一条传输线的第一端(L1)连接，并连接到该放大器的输出端，该第一条传输线的第二端(L2)连接电源，耦合线中第二条传输线与第一条传输线的第二端(L2)同侧的一端(L3)连接电源，而第二条传输线与传输线第一端(L1)同侧的一端(L4)连接反馈电容的一端，反馈电容的另一端连接NMOS晶体管的栅端，并同时与隔直电容和偏置电阻的一端相连，隔直电容的另一端接该放大器的输入端，偏置电阻的另一端接偏置电压。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园1号 | ||