发明名称 一种抑制杂散模态及馈通的MEMS压电谐振器
摘要 本发明属于射频通信及微机电系统中的元器件技术领域,涉及一种抑制杂散模态及馈通的MEMS压电谐振器,包括差分输入结构、差分输出结构和偶数阶侧向伸缩振动模态MEMS压电谐振器,所述偶数阶侧向伸缩振动模态MEMS压电谐振器包括基底、支撑台、支撑梁、振动块,振动块的振动模态阶数为2N,压电薄膜上设置2N个电极,均分为两组,每组电极中将同相电极互连、形成一对驱动电极及感应电极,两对驱动电极及感应电极对应连接外部互连金属区,形成谐振器两个输入端及输出端,将输入信号经过差分输入结构产生两路差分信号,分别输入谐振器上两个输入端,两个输出端产生两路输出信号,经差分输出结构进行差分处理后输出,能够有效抑制杂散模态及馈通,提升谐振器性能。
申请公布号 CN105375901A 申请公布日期 2016.03.02
申请号 CN201510881021.3 申请日期 2015.12.03
申请人 电子科技大学 发明人 鲍景富;李昕熠;张超;陈兆隽;黄裕霖;张翼
分类号 H03H9/24(2006.01)I 主分类号 H03H9/24(2006.01)I
代理机构 电子科技大学专利中心 51203 代理人 李明光
主权项 一种抑制杂散模态及馈通的MEMS压电谐振器,包括差分输入结构、差分输出结构和偶数阶振动模态MEMS压电谐振器,其中,所述偶数阶振动模态MEMS压电谐振器包括基底、设置在基底上的支撑台、与支撑台连接的支撑梁以及通过支撑梁与支撑台连接为一体的振动块、所述振动块上设置压电薄膜;其特征在于,所述振动块工作于偶数阶侧向伸缩振动模态,振动模态阶数为2N、N≥2,相邻振动区域之间反相;所述压电薄膜上设置有依次分布于振动块各振动区域的2N个电极,将2N个电极均分为两组,每组电极中将同相电极互连、形成一对驱动电极及感应电极,并保证两个驱动电极之间以及两个感应电极之间均反相;所述支撑台上对应于两对驱动电极及感应电极设置四个外部互连金属区,分别通过位于支撑梁上的金属走线与驱动电极及感应电极对应相连,形成两个输入端及两个输出端;输入信号通过差分输入结构产生两路差分信号分别输入两个输入端,两个输出端输出两路信号经差分输出结构差分处理后输出。
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