发明名称 |
METHODS AND APPARATUSES TO FORM SELF-ALIGNED CAPS |
摘要 |
기판 위 유전체층 내의 적어도 하나의 전도성 라인이 리세싱되어 채널이 형성된다. 상기 채널은 상기 전도성 라인에 자기 정렬된다(self-aligned). 상기 채널은 억제제(inhibitor)를 포함하는 화학물질을 이용하여 상기 전도성 라인을 미리정해진 깊이로 에칭함으로써 형성되어 결정학적 배향(crystallographic orientation)과 관계없이 에칭의 균일성을 제공할 수 있다. 상기 채널 내의 상기 리세싱된 전도성 라인 상에 전자이동을 방지하는 캐핑층(capping layer)이 퇴적된다. 상기 채널은 상기 전도성 라인의 폭 내에 상기 캐핑층을 포함하도록 구성된다. |
申请公布号 |
KR20160021902(A) |
申请公布日期 |
2016.02.26 |
申请号 |
KR20167003215 |
申请日期 |
2011.11.04 |
申请人 |
INTEL CORPORATION |
发明人 |
BOYANOV BOYAN;SINGH KANWAL JIT |
分类号 |
H01L23/532;H01L21/768;H01L23/485;H01L23/528 |
主分类号 |
H01L23/532 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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