发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 본 발명은 포토센서에 있어서, 트랜지스터의 오프 전류를 저감함으로써 저소비 전력화를 도모하는 것을 목적 중 하나로 한다. 포토다이오드, 제 1 트랜지스터, 및 제 2 트랜지스터를 갖는 포토센서와, 읽기 제어 트랜지스터를 갖는 읽기 제어 회로를 포함한다. 포토다이오드는 입사광에 따른 전하를 제 1 트랜지스터의 게이트에 공급하는 기능을 갖는다. 제 1 트랜지스터는 게이트에 공급된 전하를 축적하는 기능과, 축적된 전하를 출력신호로 변환하는 기능을 갖는다. 제 2 트랜지스터는 출력 신호의 읽기를 제어하는 기능을 갖는다. 읽기 제어 트랜지스터는 출력 신호를 전압값의 신호로 변환하는 저항소자로서의 기능을 가지며, 제 1 트랜지스터, 제 2 트랜지스터, 및 읽기 제어 트랜지스터의 반도체층은 산화물 반도체를 사용하여 형성되어 있다.
申请公布号 KR20160021909(A) 申请公布日期 2016.02.26
申请号 KR20167003579 申请日期 2011.02.17
申请人 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 发明人 KUROKAWA YOSHIYUKI;IKEDA TAKAYUKI;TAMURA HIKARU;KOZUMA MUNEHIRO
分类号 H01L27/146;G02F1/133;G02F1/1362;H01L27/12;H04N5/378 主分类号 H01L27/146
代理机构 代理人
主权项
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