发明名称 Plasma processing apparatus
摘要 본 발명은 반응 공간이 마련된 반응 챔버와, 반응 챔버 내부에 마련되어 기판을 지지하는 기판 지지대와, 반응 챔버 상측의 외부에 마련된 안테나 유닛과, 안테나 유닛에 플라즈마 발생을 위한 전원을 공급하는 전원부와, 반응 챔버에 공정 가스를 공급하기 위한 가스 공급부를 포함하고, 안테나 유닛은 안테나와, 안테나의 복수의 영역을 고정하며, 안테나의 적어도 일 영역을 적어도 두 방향으로 이동시키는 복수의 안테나 홀더를 포함하는 플라즈마 처리 장치가 제시된다.
申请公布号 KR101597234(B1) 申请公布日期 2016.02.25
申请号 KR20130143674 申请日期 2013.11.25
申请人 에이피시스템 주식회사 发明人 서문선;김준호;안재신;이재승
分类号 H01L21/205;H01L21/3065;H05H1/46 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人
主权项
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