| 摘要 |
Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung umfassen Halbleitergehäuse und Verfahren zu ihrer Ausbildung. Eine Ausführungsform besteht aus einem Verfahren, das das Ausbilden eines ersten Die-Gehäuses umfasst, wobei das erste Die-Gehäuse einen ersten Die, ein erstes elektrisches Anschlussteil und eine erste Umverteilungsschicht umfasst, wobei die erste Umverteilungsschicht mit dem ersten Die und dem ersten elektrischen Anschlussteil verbunden ist, das Ausbilden einer Unterfüllung über dem ersten Die-Gehäuse, das Strukturieren der Unterfüllung, so dass sie eine Öffnung aufweist, um einen Abschnitt des ersten elektrischen Anschlussteils freizulegen, und das Verbinden eines zweiten Die-Gehäuses mit dem ersten Die-Gehäuse mit einer Verbindungsstruktur, wobei die Verbindungsstruktur mit dem ersten elektrischen Anschlussteil in der Öffnung der Unterfüllung verbunden ist. |
