| 摘要 |
Eine Leuchtvorrichtung wird offengelegt. Die Leuchtvorrichtung umfasst eine n-Typ-Halbleiterschicht, eine p-Typ-Halbleiterschicht, eine aktive Schicht zwischen der n-Typ-Halbleiterschicht und der p-Typ-Halbleiterschicht und eine Elektronen blockierende Schicht zwischen der p-Typ-Halbleiterschicht und der aktiven Schicht. Die p-Typ-Halbleiterschicht umfasst eine Lochinjektionsschicht, eine p-Typ-Kontaktschicht und eine Lochtransportschicht, die zwischen der Lochinjektionsschicht und der p-Typ-Kontaktschicht angeordnet ist. Die Lochtransportschicht besteht aus mehreren undotierten Schichten und mindestens einer dotierten Zwischenschicht zwischen den undotierten Schichten. Mindestens eine der undotierten Schichten umfasst eine Zone, in der die Lochkonzentration mit zunehmender Distanz von der Lochinjektionsschicht oder der p-Typ-Kontaktschicht abnimmt, und die dotierte Zwischenschicht ist so ausgelegt, dass sie mindestens teilweise überlappt wird von einer Region der Lochtransportschicht, wobei die Lochkonzentration der Lochtransportschicht 62% bis 87% der Lochkonzentration der p-Typ-Kontaktschicht beträgt. |
