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Ein Herstellverfahren eines Substrats (46, 48, 58a, 58b, 58c, 58d, 58e, 70), wobei das Verfahren einen Rissbildungsprozess des Bildens eines Risses (53) entlang einer Schnittstelle (50, 62a, 62b, 62c, 62d, 62e, 62f, 62g, 62h, 78) zwischen einem ersten Abschnitt (46, 58a, 58b, 58c, 58d, 58e, 70) eines Verarbeitungsobjekts (16) und einem zweiten Abschnitt (48, 60a, 60b, 60c, 60d, 72) des Verarbeitungsobjekts, wobei der Rissbildungsprozess den Riss auf eine Weise bildet, dass ein ultrakurz gepulstes Laserlicht (A) derart bestrahlt wird, dass ein Fokuspunkt (55) davon an der Schnittstelle oder in einer Umgebung davon positioniert ist, sowie einen Separierprozess des Separierens des Verarbeitungsobjekts an dem Riss umfasst, wobei eine Verunreinigungskonzentration des ersten Abschnitts und eine Verunreinigungskonzentration des zweiten Abschnitts sich voneinander unterscheiden, oder das Material des ersten Abschnitts und das Material des zweiten Abschnitts sich voneinander unterscheiden. |
