先封后蚀三维系统级芯片正装凸点封装结构及工艺方法

摘要

本发明涉及一种先封后蚀三维系统级芯片正装凸点封装结构及工艺方法，所述封装结构基岛（1）和引脚（2），所述引脚（2）正面设置有导电柱子（3），所述基岛（1）正面正装有第一芯片（4），所述导电柱子（3）、第一芯片（4）和第一金属线（5）外围的区域均包封有第一塑封料或环氧树脂（9），所述基岛（1）背面正装有第二芯片（7），所述基岛（1）和引脚（2）背面区域以及第二芯片（7）和第二金属线（8）外围的区域均包封有第二塑封料或环氧树脂（10），所述导电柱子（3）上设置有第一金属球（17）。本发明的有益效果是：它能够解决传统金属引线框或有机基板无法埋入物件而限制整个封装功能集成度以及传统有机基板需要更细线宽与更窄的线与线间距的问题。

主权项

一种先封后蚀三维系统级芯片正装凸点封装结构的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一、取金属基板步骤二、金属基板表面预镀铜材在金属基板表面预镀一层铜材；步骤三、贴光阻膜作业在步骤二完成预镀铜材的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行金属线路层电镀的区域；步骤五、电镀金属线路层在步骤四中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层，金属线路层电镀完成后即在金属基板正面形成相应的基岛和引脚；步骤六、贴光阻膜作业在步骤五完成电镀金属线路层的金属基板正面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤七、金属基板正面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行导电柱子电镀的区域；步骤八、电镀导电柱子在步骤七中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上导电柱子；步骤九、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜；步骤十、装片在步骤五形成的基岛正面涂覆导电或不导电粘结物质进行第一芯片的植入；步骤十一、金属线键合在第一芯片正面与步骤五形成的引脚之间进行键合金属线作业；步骤十二、环氧树脂塑封在完成装片打线后的金属基板正面进行环氧树脂塑封保护；步骤十三、环氧树脂表面研磨在步骤十二完成环氧树脂塑封后进行表面研磨；步骤十四、贴光阻膜作业在步骤十三完成环氧树脂表面研磨后的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；步骤十五、金属基板背面去除部分光阻膜利用曝光显影设备将步骤十四完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域；步骤十六、蚀刻在步骤十五中金属基板背面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻；步骤十七、去除光阻膜去除金属基板表面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化学药水软化并采用高压水冲洗即可；步骤十八、披覆抗氧化剂在步骤十七中去除光阻膜后金属基板表面裸露在外的金属表面及导电柱子顶部进行抗氧化剂披覆；步骤十九、装片在基岛背面涂覆导电或不导电粘结物质进行第二芯片的植入；步骤二十、金属线键合在第二芯片正面与引脚背面之间进行键合金属线作业；步骤二十一、环氧树脂塑封在完成装片打线后的金属基板背面进行环氧树脂塑封保护；步骤二十二、植球在步骤十八完成披覆抗氧化剂的导电柱子顶部植入第一金属球；步骤二十三、切割成品将步骤二十二完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得先封后蚀三维系统级芯片正装凸点封装结构成品。