| 发明名称 | 光刻方法和光刻系统 | ||
| 摘要 | 一种图案化光刻衬底的方法，该方法包括使用自由电子激光器(FEL)以产生EUV辐射并且输送EUV辐射至将EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备(LA)，其中该方法进一步包括通过使用基于反馈的控制回路(CT)以监测自由电子激光器并相应地调整自由电子激光器的操作从而减少输送至光刻衬底的EUV辐射功率的波动。 | ||
| 申请公布号 | CN105359038A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201480034718.0 | 申请日期 | 2014.06.17 |
| 申请人 | ASML荷兰有限公司 | 发明人 | A·尼基佩洛维;O·弗里吉恩斯;G·德弗里斯;E·鲁普斯特拉;V·巴尼内;P·德加格;R·唐克;H-K·尼恩海斯;B·克瑞金加;W·恩格伦;O·鲁伊藤;J·艾科曼斯;L·格里敏克;V·里特维南科 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
| 主权项 | 一种图案化光刻衬底的方法，所述方法包括使用自由电子激光器以产生EUV辐射并且输送所述EUV辐射至将所述EUV辐射投影至光刻衬底上的光刻设备，其中所述方法进一步包括通过使用基于反馈的控制回路以监测所述自由电子激光器并相应地调整所述自由电子激光器的操作而减少输送至所述光刻衬底的EUV辐射的功率的波动。 | ||
| 地址 | 荷兰维德霍温 | ||