发明名称 | 晶圆级芯片尺寸封装方法 | ||
摘要 | 一种晶圆级芯片尺寸封装方法,包括:在表面具有多个焊盘的芯片上形成钝化层,钝化层具有露出焊盘的第一开口;在钝化层上形成第一绝缘层,第一绝缘层的第一上表面设有凹槽,凹槽下方设有露出焊盘的第二开口,凹槽底部为第一绝缘层的第二上表面;形成覆盖凹槽及焊盘的再布线,再布线的上表面低于第一绝缘层的第一上表面;在第一绝缘层及再布线上形成第二绝缘层,第二绝缘层具有露出再布线的第三开口;在第三开口下方的再布线上形成金属焊球。利用该封装方法所形成的晶圆级芯片尺寸封装结构不存在漏电流的问题。 | ||
申请公布号 | CN103413769B | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
申请号 | CN201310380217.5 | 申请日期 | 2013.08.27 |
申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 高国华;丁万春;郭飞;朱桂林 |
分类号 | H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/48(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 张亚利;骆苏华 |
主权项 | 一种晶圆级芯片尺寸封装方法,其特征在于,包括:在表面具有多个焊盘的芯片上形成钝化层,所述钝化层具有露出焊盘的第一开口;在所述钝化层上形成第一绝缘层,所述第一绝缘层的第一上表面设有凹槽,所述凹槽下方设有露出焊盘的第二开口,所述凹槽底部为所述第一绝缘层的第二上表面;形成覆盖所述凹槽及焊盘的再布线,所述再布线的上表面低于所述第一绝缘层的第一上表面,且整个所述再布线埋入所述第一绝缘层的凹槽内,使得所述芯片上位于同一层的所述再布线之间被第一绝缘层电隔离;在所述第一绝缘层及再布线上形成第二绝缘层,所述第二绝缘层具有露出再布线的第三开口;在所述第三开口下方的再布线上形成金属焊球。 | ||
地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 |