| 发明名称 | 铝锗共晶键合的方法 | ||
| 摘要 | 一种铝锗共晶键合的方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一区域和第一边缘区域，所述第二晶圆具有第二区域和第二边缘区域；在所述第一晶圆的第一边缘区域上形成铝键合层；在所述铝键合层中形成贯穿铝键合层厚度的第一环状凹槽和环绕第一环状凹槽的第二环状凹槽，所述第一环状凹槽和第二环状凹槽之间的铝键合层为中心铝键合层；在所述第二晶圆的第二边缘区域上形成锗键合层，且所述锗键合层的键合表面面积小于等于所述中心铝键合层的键合表面面积；将所述锗键合层的表面与所述中心铝键合层的表面进行键合。所述方法能够控制键合后形成的共晶合金的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN105355613A | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201510707366.7 | 申请日期 | 2015.10.27 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 黄锦才;刘玮荪 |
| 分类号 | H01L23/485(2006.01)I;H01L21/603(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/485(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴敏 |
| 主权项 | 一种铝锗共晶键合的方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆，所述第一晶圆具有第一中央区域和第一边缘区域，所述第二晶圆具有第二中央区域和第二边缘区域；在所述第一晶圆的第一边缘区域上形成铝键合层；在所述铝键合层中形成贯穿铝键合层厚度的第一环状凹槽和环绕第一环状凹槽的第二环状凹槽，所述第一环状凹槽和第二环状凹槽之间的铝键合层为中心铝键合层；在所述第二晶圆的第二边缘区域上形成锗键合层，且所述锗键合层的键合表面面积小于等于所述中心铝键合层的键合表面面积；将所述锗键合层的表面与所述中心铝键合层的表面进行键合。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||