半导体结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、掺杂条纹与顶掺杂区；第一掺杂区具有第一导电型；第二掺杂区形成于第一掺杂区中，并具有相对于第一导电型的第二导电型；掺杂条纹形成于第一掺杂区中，并具有第二导电型；顶掺杂区形成于掺杂条纹中，并具有第一导电型；顶掺杂区具有相对的第一侧边与第二侧边；掺杂条纹是延伸超过第一侧边或第二侧边。

主权项

一种半导体结构，包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型，用作源极与漏极其中之一；一第一掺杂电极区，形成于该第一掺杂区中；一第二掺杂区，形成于该第一掺杂区中，并具有相对于该第一导电型的一第二导电型，用作源极与漏极其中之另一；一第二掺杂电极区与一第三掺杂电极区，形成于该第二掺杂区中；一掺杂条纹，形成于该第一掺杂区中，并具有该第二导电型，其中多个该掺杂条纹是通过该第一掺杂区互相分开；一顶掺杂区，形成于该掺杂条纹中，并具有该第一导电型，其中该顶掺杂区具有相对的一第一侧边与一第二侧边，该掺杂条纹是延伸超过该第一侧边或该第二侧边，或者该掺杂条纹是延伸超过该第一侧边与该第二侧边两者；以及一栅极结构，位于该第一掺杂区与该第二掺杂电极区之间的该第二掺杂区上。