发明名称 |
一种制造光衰减器阵列的方法及光衰减器阵列 |
摘要 |
本发明涉及一种基于MEMS工艺制造光衰减器阵列的方法,在硅基光学平台上进行封装,输入光纤和输出光纤分别位于VOA芯片的两端,其特征在于所述VOA芯片下半部具有掏空部分,所述掏空部分可供光纤通过,所述输入光纤和输出光纤的端面直接耦合。以及一种光衰减器阵列。该制作方法和得到的光衰减器阵列封装结构更简单,组装工艺简单可靠、稳定可控,成本低。 |
申请公布号 |
CN105353469A |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
CN201510573202.X |
申请日期 |
2015.09.10 |
申请人 |
深圳市盛喜路科技有限公司 |
发明人 |
王文辉;钟桂雄;邓江东;李四华;施林伟;李维 |
分类号 |
G02B6/26(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/26(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种制造光衰减器阵列的方法,在硅基光学平台上进行封装,输入光纤和输出光纤分别位于VOA芯片的两端,其特征在于所述VOA芯片下半部具有掏空部分,所述掏空部分可供光纤通过,所述输入光纤和输出光纤的端面直接耦合。 |
地址 |
518000 广东省深圳市福田区彩田路西红荔路南中银花园办公楼A楼22A、B、Ca、Cb、D、E-E8 |