EXTENDED SINGLET HARVESTING FOR OLEDS AND OTHER OPTOELECTRONIC DEVICES

摘要

본 발명은 단일항 상태(S)로부터의 방출(단일항 하비스팅)을 포함하고, 전체 방출 수명의 감소를 위해 부가적으로, 에너지적으로 더 아래에 위치한 삼중항 상태(T)의 추가 방출을 포함하는 광 방출 전이 금속 착물에 관한 것으로, 상태들의 점유 및 결과로서 나타나는 방출은 열적 평형을 이룬다.