| 发明名称 | 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可简化薄膜晶体管的工艺制程，从而节约成本。该薄膜晶体管的制备方法包括在基板上形成栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极和漏极的步骤；形成所述栅绝缘层和所述半导体有源层的步骤包括：制备绝缘层薄膜；其中，所述绝缘层薄膜的材料包括金属氧化物绝缘材料；对所述绝缘层薄膜的预定区域进行离子注入，以使所述预定区域内的部分厚度的所述绝缘层薄膜的金属氧化物绝缘材料转化为金属氧化物半导体材料，形成所述半导体有源层，其余所述绝缘层薄膜形成所述栅绝缘层。用于薄膜晶体管、包括该薄膜晶体管的阵列基板及显示装置的制造。 | ||
| 申请公布号 | CN104752231B | 申请公布日期 | 2016.02.24 |
| 申请号 | CN201510142322.4 | 申请日期 | 2015.03.27 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 刘威;姜春生 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/786(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制备方法，包括在基板上形成栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极和漏极的步骤；其特征在于，形成所述栅绝缘层和所述半导体有源层的步骤包括：制备绝缘层薄膜；其中，所述绝缘层薄膜的材料包括金属氧化物绝缘材料；对所述绝缘层薄膜的预定区域进行离子注入，以使所述预定区域内的所述绝缘层薄膜的部分厚度的金属氧化物绝缘材料转化为金属氧化物半导体材料，形成所述半导体有源层，其余所述绝缘层薄膜形成所述栅绝缘层。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||